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  • 2N700
  • MPX02P
  • TO-92 N-Channel 60V 200mA 5.3ohms
  • TO-92 N-Channel 60V 200mA
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更新时间:2020-09-21 19:31:59
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2N7000 全球供應商

全球供應商

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技術參數
額定電壓(DC)
60.0 V
額定電流
200 mA
漏源极電阻
5.30 Ω
極性
N-Channel
耗散功率
400mW(Ta)
漏源極電壓(Vds)
60.0 V
漏源擊穿電壓
60.0 V
柵源擊穿電壓
-20.0 V to 20.0 V
連續漏極電流(Ids)
200 mA
封裝參數
安裝方式
Through Hole
引腳數
3
封裝
TO-92
外形尺寸
封裝
TO-92
其他
産品生命周期
Not Listed by Manufacturer
包裝方式
Bulk
符合標准
RoHS標准
Compliant
含鉛標准
Lead Free
REACH SVHC标准
No SVHC
海關信息
ECCN代碼
EAR99
産品概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? 2N7000? 晶體管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

The 2N7000 is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using Fairchild"s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed current up to 2A. It is also suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.

.
Voltage Controlled Small Signal Switch
.
Rugged and Reliable
.
High Saturation Current Capability
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2N7000 數據手冊

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2N7000 數據手冊Datasheet PDF 27
14 页,636 KB
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器件圖
型號
制造商
品名
代替類型
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2N7000
2N7000
Fairchild (飛兆/仙童)
MOS管
当前型號
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? 2N7000? 晶體管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
当前型號
2N7000TA
2N7000TA
飛兆/仙童
MOS管
類似代替 功能特性相符,部分主要參數一致,但元件電氣特性有一些不同
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? 2N7000TA? 晶體管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3.9 V
2N7000和2N7000TA區別
2N7000BU
2N7000BU
飛兆/仙童
MOS管
類似代替 功能特性相符,部分主要參數一致,但元件電氣特性有一些不同
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? 2N7000BU? 晶體管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3.9 V
2N7000和2N7000BU區別
2N7000_D26Z
2N7000_D26Z
飛兆/仙童
MOS管
類似代替 功能特性相符,部分主要參數一致,但元件電氣特性有一些不同
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? 2N7000_D26Z? 晶體管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
2N7000和2N7000_D26Z區別
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