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  • BSC010NE2
  • P-830
  • REEL N-Channel 25V 39A
  • REEL N-Channel 25V
AIBOM
中文簡體
更新时间:2020-09-12 02:31:15
首頁 > 分立器件 > 晶體管 > MOS管 > BSC010NE2LSATMA1
  • 符合RoHS規範
  • 無鉛
  • REEL
    封裝:REEL
  • 10周
    原廠交貨周期:10周
  • 在産
    生命周期:在産
  • 2012年
    發布時間:2012
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BSC010NE2LSATMA1 全球供應商

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漏源極電壓(Vds)
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39A
封裝參數
安裝方式
Surface Mount
引腳數
8
封裝
REEL
外形尺寸
封裝
REEL
其他
産品生命周期
active
制造應用
Mainboard, Onboard charger, VRD/VRM
符合標准
RoHS標准
Compliant
含鉛標准
Lead Free
REACH SVHC标准
No SVHC
産品概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Infineon OptiMOS? 功率 MOSFET 系列

OptiMOS? 产品提供高性能封裝,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封裝(無鉛)

超低 Rds(on)


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this BSC010NE2LSATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 96000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes optimos technology.


得捷:
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8


歐時:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC010NE2LSATMA1, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封裝


e絡盟:
INFINEON? BSC010NE2LSATMA1? 晶體管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2 V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R


永貝爾:
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3


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