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  • BSC011N03
  • P-830
  • TDSON N-Channel 30V 37A
  • TDSON N-Channel 30V
AIBOM
中文簡體
更新时间:2020-09-10 04:50:33
首頁 > 分立器件 > 晶體管 > MOS管 > BSC011N03LSIATMA1
  • 符合RoHS規範
  • 無鉛
  • TDSON
    封裝:TDSON
  • 16周
    原廠交貨周期:16周
  • 在産
    生命周期:在産
  • 2012年
    發布時間:2012
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BSC011N03LSIATMA1 全球供應商

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美國
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技術參數
極性
N-Channel
耗散功率
2.5(W)
漏源極電壓(Vds)
30V
連續漏極電流(Ids)
37A
封裝參數
引腳數
8
封裝
TDSON
外形尺寸
封裝
TDSON
其他
産品生命周期
active
制造應用
Power Management, Computers & Computer Peripherals, 電源管理, 便携式器材, Mainboard, 电机驱动与控制, VRD/VRM, Portable Devices, LED Lighting, Motor Drive & Control, 发光二極管照明, Onboard charger, 计算机和计算机周边
符合標准
RoHS標准
Compliant
含鉛標准
Lead Free
REACH SVHC标准
No SVHC
産品概述

INFINEON? BSC011N03LSIATMA1? 晶體管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V

Infineon OptiMOS? 功率 MOSFET 系列

OptiMOS? 产品提供高性能封裝,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封裝(無鉛)

超低 Rds(on)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8


e絡盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 100 A, 900 ?ohm, TDSON, 表面安装


艾睿:
This BSC011N03LSIATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes optimos technology.


立創商城:
BSC011N03LSIATMA1


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8


歐時:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC011N03LSIATMA1, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封裝


貿澤:
MOSFET LV POWER MOS


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP


Newark:
# INFINEON? BSC011N03LSIATMA1? MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V


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