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元器件分類
  • VBT3045BP-E3/4
  • VBT3060C-E3/4W
  • TVS二極管 TO-263-3
AIBOM
中文簡體
更新时间:2020-09-16 12:01:35
首頁 > 分立器件 > 二極管 > TVS二極管 > VBT3045BP-E3/4W
  • 符合RoHS規範
  • 無鉛
  • TO-263-3, D2Pak...
    封裝:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 19周
    原廠交貨周期:19周
  • 在産
    生命周期:在産
  • 2011年
    發布時間:2011
  • 參考價格:
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VBT3045BP-E3/4W 全球供應商

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上海 282 5 2 CNY 8.505 7.065 7.065 7.065 7.065 購買
美國 3000 立即發貨 1 USD 0.929 0.8637 0.6944 0.6222 0.6022 購買
美國 1588 立即發貨 1 USD 1.071 0.857 0.779 0.612 0.571 購買
美國 0 91 3000 EUR - - - 0.5139 0.4771 詢價

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Through Hole
封裝
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
外形尺寸
封裝
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他
産品生命周期
Active
符合標准
RoHS標准
Compliant
含鉛標准
Lead Free
産品概述

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

**Features:

**

* Trench MOS Schottky Technology**

**

* Low Forward Voltage Drop, Low Power Losses**

**

* High Efficiency Operation**

**

* Meets MSL level 1, Per J-STD-020, LF Maximum Peak of 245°°C**

**

* TJ 200°C Max. in Solar bypass Application**

Applications:

**

* For Use in Solar Cell Junction Box as a Bypass Diode for Protection, Using DC Forward Current without Reverse Bias


得捷:
DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO263AB


歐時:
### TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor


艾睿:
Diode Schottky 45V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube


Allied Electronics:
Semiconductor, Rectifier; Trench MOS Barrier Schottky, Single; 45V; 30A; TO-263AB


安富利:
Diode Schottky 45V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube


富昌:
VBT3045 系列 30 A 45 V Trench MOS 势垒 肖特基整流器 - TO-263AB


Chip1Stop:
Diode Schottky 45V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube


Verical:
Diode Schottky 45V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube


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VBT3045BP-E3/4W 數據手冊

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VBT3045BP-E3/4W 數據手冊Datasheet PDF 9
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VBT3045BP-E3/4W 代替型號 更多代替型號

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型號
制造商
品名
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VBT3045BP-E3/4W
VBT3045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor (威世)
TVS二極管
当前型號
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
当前型號
VBT3045BP-E3/8W
VBT3045BP-E3/8W
威世
TVS二極管
功能相似 器件功能特性相符,但主要參數不一致,對電路結構修正,可進行代換。如更換,請務必閱讀數據文檔
VISHAY? VBT3045BP-E3/8W? 肖特基整流器, 单, 45 V, 30 A, TO-263AB, 3 引脚, 700 mV
VBT3045BP-E3/4W和VBT3045BP-E3/8W區別
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VBT3045BP-E3/4W品牌廠家:Vishay Semiconductor(威世)VBT3045BP-E3/4W渠道分銷商:10家,现货庫存數量:2536 PCS,VBT3045BP-E3/4W价格参考:?3.433元。Vishay Semiconductor(威世) VBT3045BP-E3/4W参数(TO-263-3,封裝:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB),VBT3045BP-E3/4W中文資料和說明書PDF下載(8頁,376KB),您可以在VBT3045BP-E3/4WTVS二極管规格书Datesheet數據手冊中,查到VBT3045BP-E3/4W使用方法,VBT3045BP-E3/4W典型电路教程。 VBT3045BP-E3/4W可以用什么代替?代换型號如:VBT3045BP-E3/8W替代换,VBT3045BP-E3/4W系列中文手册中包含VBT3045BP-E3/4W说明介绍,用户中文手册VBT3045BP-E3/4W手册PDF下载(8页,376KB)。您可在采芯網下载VBT3045BP-E3/4W产品选型手册,VBT3045BP-E3/4W产品设计参考手册,VBT3045BP-E3/4W用户编程技术手册,VBT3045BP-E3/4W开发手册。

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